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衡量絕緣子污穢程度有等值鹽密、污層電導率、表面電導率、泄漏電流、污閃電壓與污閃梯度等方法。本文選擇了測量絕緣子等值鹽密來衡量絕緣子污穢程度，其原因如下。
a． 污層電導率定義為絕緣單位表面污層的電導值，實際上是由加在污層上的電流與電壓之比求出的電導與絕緣子的形狀系數相乘求得。為測量污層表面電導，應在污層飽和受潮條件下，在絕緣子上加適當高的工頻電壓，測其泄漏電流，從而求得電導G=I／U，但上述測量分散性較大，受污穢分布不均勻的影響也較大。另外，測量時要用容量較大的電源，測量比較麻煩。
b．從物理意義上講，污層的局部表面電導率和表面電導率是同一參數，其物理意義相同，差別僅在于測量方法。測量方法雖然與等值鹽密相同，但電導率受溫度變化影響較大。
c．泄漏電流試驗作為表示污穢度的參數較多：運行電壓下泄漏電流的最大脈沖幅值；超過一定幅值的泄漏電流脈沖數；臨閃前最大泄漏電流值。測量這些參數需要對絕緣子施加一定電壓，現場試驗不方便。
d． 污閃電壓及污閃梯度是表征絕緣子性能的最直接最理想的污穢參數，現場污穢試驗還能真實地測得絕緣子污閃性能，但由于自然污穢和積污水平達到臨界狀態與引起污閃的氣象條件的產生不一定同時存在，往往是污穢已經達到臨界水平但沒有出現充分的潮濕條件而測量不到臨界污閃電壓，因而進行閃絡電壓的測量還應結合其他污穢度參數的測量。試驗設備容量大，試驗不方便，現場不具備
條件。
e． 絕緣子等值鹽密(外絕緣的單位表面積上的等值鹽量)測量方法是用一定量的蒸餾水，將一定面積瓷表面上的污穢物全部清洗掉，用等值鹽密度測試儀測量污穢溶液的鹽密值ESDD。YM3200直讀式鹽密儀可以直接測量讀取ESDD值。等值鹽密可直觀衡量污穢程度，不受溫度、電壓、試驗設備容量和試驗場地的限制。
就現有技術、設備和操作的可行性等來看，現場一般采取測量絕緣子等值鹽密衡量絕緣子污穢程度。等值鹽密是對絕緣子污閃的客觀反映，是判斷絕緣性能的判據之一，可直觀衡量污穢程度，不受溫度、電壓、試驗設備容量和試驗場地的
限制，而且便于現場操作。
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