東芝推出采用DFN8×8封裝的新型650V第3代SiC MOSFET
－四款新器件助力提升工業設備的效率和功率密度－
http://www.debgrams.com 2025-05-20 16:09 來源：東芝
中國上海，2025年5月20日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術，并采用緊湊型DFN8×8封裝，適用于開關電源、光伏發電機功率調節器等工業設備。四款器件于今日開始支持批量出貨。
四款新器件是首批采用小型表貼DFN8×8封裝的第3代SiC MOSFET的器件，與TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封裝相比，其體積減小90%以上，并提高了設備的功率密度。表貼封裝還允許使用比通孔型封裝更小的寄生阻抗[2]元件，從而降低開關損耗。DFN8×8是一種4引腳[3]封裝，支持對其柵極驅動的信號源端子進行開爾文連接。這減少了封裝內部源極線電感的影響，實現高速開關性能；以TW054V65C為例，與東芝現有產品相比[5]，其開通損耗降低了約55%，關斷損耗降低約25%[4]，有助于降低設備中的功率損耗。
未來東芝將繼續擴大其SiC功率器件產品線，為提高設備效率和增加功率容量做出貢獻。
測量條件：VDD＝400V、VGS＝18V/0V、ID＝20A、Ta＝25°C、L＝100μH，Rg（外部柵極電阻）＝4.7Ω
續流二極管采用各產品源極和漏極之間的二極管。（截至2025年5月，東芝對比結果）
圖1 TO-247與DFN8×8封裝的導通損耗（Eon）和關斷損耗（Eoff）比較
應用：
-服務器、數據中心、通信設備等的開關電源
-電動汽車充電站
-光伏逆變器
-不間斷電源
特性：
-DFN8×8表面貼裝封裝，實現設備小型化和自動化組裝，低開關損耗
-東芝第3代SiC MOSFET
-通過優化漂移電阻和溝道電阻比，實現漏源導通電阻的良好溫度依賴性
-低漏源導通電阻×柵漏電荷
-低二極管正向電壓：VDSF＝–1.35V（典型值）（VGS＝–5V）
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