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2025年3月13日，致力于亞太地區(qū)市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布，其旗下詮鼎推出基于英諾賽科（Innoscience）InnoGaN INN650TA030C、INN650TA050C、INN100EQ016A以及INS1001DE芯片的2KW 48V雙向AC/DC儲能電源方案。

圖示1-大聯大詮鼎基于英諾賽科產品的2KW 48V雙向AC/DC儲能電源方案的展示板圖

在實現“雙碳”目標的大背景下，風能、光伏等綠色能源形式正逐步成為推動可持續(xù)發(fā)展的核心動力。然而，自然界的能源供給存在固有的不穩(wěn)定性，這要求新能源系統在存儲與利用過程中必須依賴高效的儲能解決方案，以有效平衡供需波動，降低不確定性影響。氮化鎵作為半導體領域的明星材料，憑借其超高頻、超低損耗的卓越性能，顯著提升了能源轉換效率與利用水平，在儲能技術領域展現出重要價值。針對這一趨勢，大聯大詮鼎基于英諾賽科InnoGaN INN650TA030C、INN650TA050C、INN100EQ016A以及INS1001DE芯片推出2KW 48V雙向AC/DC儲能電源方案，可以降低系統損耗。

圖示2-大聯大詮鼎基于英諾賽科產品的2KW 48V雙向AC/DC儲能電源方案的場景應用圖

儲能系統采用氮化鎵，一方面可以提升效率，降低損耗，實現無風散熱，節(jié)省風扇，從而提升系統可靠性和壽命；另一方面還能提升開關頻率，減小感性和容性等無源器件尺寸來構建更小、更輕的產品。

本方案采用All GaN器件，包括前端AC/DC無橋圖騰柱PFC和后端DC/DC隔離全橋LLC轉換器，支持單雙向工作模式。在無橋PFC部分，本方案采用4顆英諾賽科旗下INN650TA030C芯片、LLC原邊高壓側搭載4顆INN650TA050C、副邊低壓側配備8顆INN100EQ016A、高壓管驅動器搭配自研的INS1001DE，與傳統IGBT/Si方案相比，本方案可以提供更快的開關速度、更小的開關損耗，從而保持更小的系統體積和更高的效率。

圖示3-大聯大詮鼎基于英諾賽科產品的2KW 48V雙向AC/DC儲能電源方案的方塊圖

此次推出的All GaN器件2KW 48V雙向AC/DC儲能電源方案，不僅是大聯大對當前市場需求的精準回應，更是公司對綠色、高效、智能能源體系的前瞻布局。未來，大聯大將秉持開放合作的理念，攜手更多志同道合的伙伴，共同加速新能源產業(yè)的革新步伐，為實現全球碳中和的宏偉目標注入強勁動能。

核心技術優(yōu)勢：

整流和逆變峰值效率96.1%，相較IGBT/Si方案，系統損耗減少40%；

PFC工作頻率65KHz、LLC諧振頻率200KHz、相較IGBT/Si方案，系統功率密度提升1倍。

方案規(guī)格：

整流：輸入電壓范圍為180Vac~264Vac，輸出48V/41.6A，滿載最大功率2000W，峰值效率高達96.1%@50%負載；

逆變：輸入電壓范圍為45Vdc~55Vdc，輸出220Vac/9.1A，最大穩(wěn)態(tài)工作功率2000W，峰值效率高達96%@50%負載；

PCBA尺寸：248mm×120mm×45mm；

開關頻率：

PFC：65KHz；

LLC：200KHZ；

高功率密度：2.447W/inch³；

保護功能齊全：輸入過壓保護/欠壓保護/輸入過流保護/輸出短路及過流過壓保護/過溫保護。