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全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出業(yè)界首款面向DDR5寄存雙列直插式內(nèi)存模塊（RDIMM）的第六代（Gen6）寄存時鐘驅(qū)動器（RCD）。這款全新RCD率先實現(xiàn)了9600兆傳輸/秒（MT/s）的數(shù)據(jù)速率，超越當前行業(yè)標準。與瑞薩第五代（Gen5）RCD 8800MT/s的性能相比，本次突破實現(xiàn)了大幅提升，為數(shù)據(jù)中心服務器的內(nèi)存接口性能樹立了全新標桿。

瑞薩第六代DDR5 RCD的關鍵特性

帶寬較瑞薩第五代RCD提升10%（9600MT/s vs 8800MT/s）

向后兼容第五代平臺：提供無縫升級路徑

增強信號完整性與能效：支持AI、HPC，及LLM工作負載

擴展的決策反饋均衡架構(gòu)：提供八個Taps和1.5mV精度的電壓調(diào)整，實現(xiàn)卓越的裕量調(diào)諧

決策引擎信號遙測與裕量調(diào)節(jié)（DESTM）：改進系統(tǒng)級診斷功能可提供實時信號質(zhì)量指示、裕量可視化以及診斷反饋，以支持更高速度運行

新型DDR5 RDIMM旨在滿足人工智能（AI）、高性能計算（HPC），及其它數(shù)據(jù)中心應用對帶寬日益增長的需求。瑞薩在新型RDIMM的設計、開發(fā)與部署過程中發(fā)揮關鍵作用，協(xié)同包括CPU和內(nèi)存供應商等在內(nèi)的行業(yè)領軍企業(yè)，及終端客戶開展了深度合作。憑借在信號完整性與功耗優(yōu)化領域的深厚積淀，瑞薩已位于DDR5 RCD領域的前沿。

Sameer Kuppahalli, Vice President of Memory Interface Division at Renesas表示：“生成式AI的爆發(fā)式增長推動了系統(tǒng)芯片核心數(shù)量的激增，進而將內(nèi)存帶寬與容量的需求推向前所未有的高度，成為數(shù)據(jù)中心性能的關鍵驅(qū)動力。第六代DDR5寄存時鐘驅(qū)動器充分彰顯出瑞薩致力于內(nèi)存接口創(chuàng)新、開拓前沿技術，并提供滿足市場需求解決方案的堅定承諾。”

Indong Kim, VP of DRAM Product Planning, Samsung Electronics表示：“三星與瑞薩在多代內(nèi)存接口組件領域保持著緊密合作，包括成功完成Gen5 DDR5 RCD和PMIC 5030的認證。如今，我們很高興將Gen6 RCD集成至DDR5 DIMM中，覆蓋多個SoC平臺，以滿足AI、HPC，及其它內(nèi)存密集型工作負載日益增長的需求。”

供貨信息

RRG5006x第六代RCD專為滿足下一代服務器平臺的嚴苛要求而設計，具備卓越的性能、可靠性，與可擴展性。目前，瑞薩已開始向包括所有主流DRAM供應商在內(nèi)的特定客戶開放全新RRG5006x RCD樣品，預計于2027年上半年啟動量產(chǎn)。有關瑞薩內(nèi)存接口解決方案的更多信息，請訪問：www.renesas.com/ddr5。如需獲取新款RCD的詳細資料，請發(fā)送電子郵件至：mid@lm.renesas.com。

瑞薩亮相SC25展會

瑞薩將于11月16日至21日在美國圣路易斯舉辦的SC25大會上展示其內(nèi)存接口解決方案，展位號為#4101。