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業(yè)界領先的半導體器件供應商兆易創(chuàng)新GigaDevice（股票代碼 603986）與納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）共同設立的“數(shù)字能源聯(lián)合實驗室”在合肥正式揭牌。該實驗室將GD32 MCU領域的深厚積累，與納微半導體在高頻、高速、高集成度氮化鎵以及擁有溝槽輔助平面技術的GeneSiC碳化硅領域的產品優(yōu)勢相結合，面向AI數(shù)據(jù)中心、光伏逆變、儲能、充電樁、電動汽車等新興市場，提供智能、高效的數(shù)字能源解決方案。

納微半導體系統(tǒng)應用工程副總裁黃秀成（右）與兆易創(chuàng)新高級副總裁、MCU事業(yè)部總經理李寶魁（左）合影

夯實數(shù)字能源基石，注入強勁“芯”動力

自籌備以來，數(shù)字能源聯(lián)合實驗室已取得一系列豐碩成果，先后推出4.5kW、12kW服務器電源，以及500W單級微型逆變器等解決方案。這些方案以先進拓撲，滿足行業(yè)“高效率、高功率密度”等需求演進方向。方案的落地不僅展現(xiàn)了兆易創(chuàng)新與納微半導體在數(shù)字能源領域的創(chuàng)新實力，也凸顯了雙方技術融合所帶來的獨特優(yōu)勢與市場競爭力。

500W單級光伏微逆方案基于兆易創(chuàng)新GD32G553 MCU與納微雙向GaNFast™氮化鎵功率芯片 ，采用單級一拖一架構，具備高效率、低損耗、高集成度和成本優(yōu)化等優(yōu)勢。結合優(yōu)化的混合調制策略與軟開關技術，峰值效率超過97.5%，CEC效率超過97%，MPPT效率超過99.9%。單級架構直接實現(xiàn)直流到交流的轉換，省去一級直流-直流變換環(huán)節(jié)，提升功率密度，并減少器件數(shù)量和損耗。通過磁集成設計與納微雙向氮化鎵開關，可進一步縮小尺寸，降低BOM成本。

基于兆易創(chuàng)新GD32G553 MCU，結合納微GaNSafe™氮化鎵功率芯片與第三代快速碳化硅MOSFETs產品的4.5kW和12kW AI服務器電源方案，專為AI和傳統(tǒng)服務器以及超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心設計。其中的12kW方案不僅符合開放計算項目（OCP）、開放機架v3（ORv3）及CRPS規(guī)范，更以極簡元器件布局，超越80 PLUS紅寶石“Ruby”標準，實現(xiàn)97.8%峰值效率。

邁向全球能源轉型，推動綠色與智能技術融合

在全球能源轉型的大背景下，數(shù)字能源解決方案的需求正在迅速增長。AI、大數(shù)據(jù)、云計算等新興技術不斷推動能源行業(yè)的變革。特別是在綠色能源和智能電源管理領域，創(chuàng)新技術和系統(tǒng)集成已成為實現(xiàn)更高效、更環(huán)保、更可持續(xù)電力系統(tǒng)的關鍵。

揭牌儀式上，納微半導體系統(tǒng)應用工程副總裁黃秀成與兆易創(chuàng)新高級副總裁、MCU事業(yè)部總經理李寶魁共同為實驗室揭牌，并就未來合作方向及實驗室運營模式進行了深入探討。雙方一致表示，將以聯(lián)合實驗室為平臺，深化技術協(xié)同，加速創(chuàng)新成果轉化。

納微半導體系統(tǒng)應用工程副總裁黃秀成表示：“聯(lián)合實驗室的成立是納微半導體與兆易創(chuàng)新戰(zhàn)略合作深化的重要里程碑。我們將充分發(fā)揮氮化鎵技術在高效電源管理中的優(yōu)勢，結合兆易創(chuàng)新在MCU領域的深厚積淀，共同開發(fā)面向未來的數(shù)字能源解決方案，為全球客戶帶來更高效、更環(huán)保的創(chuàng)新產品。”

兆易創(chuàng)新高級副總裁、MCU事業(yè)部總經理李寶魁表示：“數(shù)字能源是兆易創(chuàng)新的核心應用方向之一。通過與納微半導體的合作，我們將高性能GD32 MCU與領先的GaNFast™氮化鎵技術深度融合，為客戶提供更具競爭力的解決方案。這不僅是技術層面的協(xié)同創(chuàng)新，更是雙方推動綠色能源、助力產業(yè)智能化轉型的堅定承諾。”

此次聯(lián)合實驗室的成立，不僅是對兆易創(chuàng)新與納微半導體前期合作成果的肯定，更預示著雙方在數(shù)字能源領域的廣闊合作前景。未來，實驗室將繼續(xù)以技術創(chuàng)新為核心，加速高效電源管理方案在更多應用場景的落地，驅動數(shù)字能源產業(yè)的高質量發(fā)展。