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中國上海，2025年9月10日——全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）與德國大型汽車零部件供應(yīng)商舍弗勒集團(tuán)（總部位于德國赫爾佐根奧拉赫，以下簡稱“舍弗勒”）宣布，作為戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系的重要里程碑，舍弗勒開始量產(chǎn)搭載羅姆SiC（碳化硅）MOSFET裸芯片的新型高電壓逆變磚。這是面向中國大型汽車制造商設(shè)計的產(chǎn)品。

作為電驅(qū)動總成系統(tǒng)的核心部件，此次采用羅姆SiC MOSFET的逆變磚，對電動汽車的效率和性能有十分顯著的作用。這款高性能逆變磚突破電動汽車牽引逆變器領(lǐng)域通常支持的800V電壓，可支持更高的電池電壓，并實現(xiàn)了650Arms的峰值電流輸出。憑借羅姆的SiC技術(shù)，該產(chǎn)品不僅實現(xiàn)了高效率和高輸出功率，還實現(xiàn)了產(chǎn)品小型化，將作為推動下一代電動汽車普及的重要產(chǎn)品投入市場。

羅姆與舍弗勒（原Vitesco Technologies）自2020年起建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。2023年，雙方簽署碳化硅功率器件相關(guān)的長期供應(yīng)協(xié)議，增強(qiáng)對提升電動汽車性能至關(guān)重要的SiC芯片的供應(yīng)體系。此次新產(chǎn)品的量產(chǎn)啟動，表明這種良好合作關(guān)系正在穩(wěn)步取得積極成效。

舍弗勒集團(tuán) 電驅(qū)動事業(yè)部CEO 陶斯樂（Thomas Stierle）表示：“在電動出行解決方案領(lǐng)域，我們通過采用可擴(kuò)展與模塊化的策略，成功開發(fā)出適用于從單獨(dú)部件到高集成度電驅(qū)橋的逆變磚。我們以通用平臺開發(fā)為基石，成功在短短一年內(nèi)針對中國市場日益普及的X in 1架構(gòu)開發(fā)出優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品并投入量產(chǎn)。”

羅姆 董事兼常務(wù)執(zhí)行官 伊野 和英表示：“舍弗勒逆變磚能夠采用羅姆第4代SiC MOSFET并實現(xiàn)量產(chǎn)，我們深感榮幸。羅姆的SiC技術(shù)可顯著提升電動汽車的效率和性能，通過與舍弗勒的合作，將進(jìn)一步推動汽車產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新與可持續(xù)發(fā)展。”

舍弗勒集團(tuán) 電驅(qū)動事業(yè)部CEO 陶斯樂（Thomas Stierle）（左）與羅姆 董事兼常務(wù)執(zhí)行官 伊野 和英（右）