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　　單刀雙擲和單刀四擲開關產(chǎn)品組合支持寬帶和高頻應用

　　圣迭戈，2022年3月8日——村田旗下公司、專注于半導體集成技術的pSemi® Corporation推出業(yè)界首款用于支持高達67 GHz的高頻應用的單刀四擲開關，進一步擴大該公司旗下的射頻 SOI產(chǎn)品組合。新款開關設計緊湊且高效節(jié)能，在FR2頻率范圍內(nèi)擁有同類產(chǎn)品最佳的插入損耗、線性度、開關時間和功率處理能力，旨在增強5G毫米波系統(tǒng)和短距連接性。目前，pSemi提供毫米波單刀雙擲和單刀四擲開關系列產(chǎn)品，助力設計人員在測試和測量、無線基礎設施、衛(wèi)星和點對點通信應用等方面簡化設計布局，以及提高系統(tǒng)整體效率。

　　毫米波產(chǎn)品的興起

　　隨著面向增強現(xiàn)實（AR）、虛擬現(xiàn)實（VR）和人工智能（AI）設備和應用的投資不斷增加，毫米波頻率能夠發(fā)揮至關重要的作用，為先進通信網(wǎng)絡提高數(shù)據(jù)速率、提高吞吐量和降低延遲。5G毫米波和多頻段配置促成了更加復雜的信號傳輸和更加密集的天線結(jié)構(gòu)，以支持不斷發(fā)展的蜂窩、衛(wèi)星和未授權標準。設計人員通過實施相控陣天線和優(yōu)化的射頻前端架構(gòu)來攻克這些挑戰(zhàn)，以便在不增加系統(tǒng)噪聲或損耗的情況下，最大限度地提高信號強度和吞吐量。

新型pSemi毫米波開關支持無線基礎設施、測試和測量、衛(wèi)星和點對點通信系統(tǒng)等應用

　　pSemi銷售和營銷副總裁Vikas Choudhary表示:“市場對流媒體、增強現(xiàn)實、虛擬現(xiàn)實和混合現(xiàn)實體驗的需求加速了毫米波產(chǎn)品的商業(yè)化。pSemi不斷拓展自身由毫米波開關、數(shù)字步進衰減器、波束成形器和升降頻轉(zhuǎn)換器組成的產(chǎn)品組合，并隨著更高頻段的發(fā)布，加大技術投資力度，以滿足客戶在較高的毫米波頻率的頻譜需求。”

　　寬帶射頻開關的特點和優(yōu)勢

　　三款UltraCMOS®開關支持多種產(chǎn)品配置，兼具射頻性能、可靠性和靈活性（尺寸），是9 kHz 至 67 GHz毫米波系統(tǒng)設計的理想之選。PE42545 單刀四擲開關采用倒裝芯片形式，最高可支持67 GHz，PE42525 單刀雙擲開關最高可支持60 GHz。PE42546 單刀四擲開關采用小型3 x 3mm LGA 封裝設計，最高可支持45 GHz頻率。

• 低延遲——在先進通信方案中實現(xiàn)快速數(shù)據(jù)傳輸模式和快速數(shù)據(jù)接收模式之間的極速切換。
• 高能效——卓越的功率處理能力和低插入損耗，可節(jié)省發(fā)射功率并提高接收器靈敏度。
• 寬頻帶覆蓋——采用專利設計技術，達到同類型產(chǎn)品最佳的回波損耗，提供高達67GHz 的射頻性能。

　　測試與測量——毫米波單刀四擲案例分析

　　測試和測量行業(yè)面臨著獨特的挑戰(zhàn)，即需要在5G毫米波技術領域保持領先優(yōu)勢，才能提供先進的測試解決方案。因而設備必須支持更高的功率處理能力、高線性度、低插入損耗和快速切換，以便在極端條件下高效地進行高達67 GHz的壓力測試。

全新pSemi 單刀四擲開關簡化了濾波器組的設計

　　對于希望能夠簡化復雜寬帶設計的測試和測量設計人員來說，單個PE42545或PE42546 單刀四擲開關可以取代級聯(lián)濾波器組配置中使用的多個單刀雙擲開關，從而減少空間，提供插入損耗更低的頻段選擇路徑。隨著3GPP標準在5G、5G-Advanced和6G領域的不斷發(fā)展，使用可擴展且可靠的器件確保設計人員能夠輕松調(diào)整系統(tǒng)設計，以滿足不同的頻段配置要求。

　　關于pSemi

　　pSemi Corporation隸屬于村田，致力于推動半導體集成。pSemi以Peregrine Semiconductor 長達30年的技術傳承以及強大的知識產(chǎn)權組合為基礎，肩負起全新使命，即助力增強村田在提供世界一流的高性能射頻、模擬、混合信號和光學解決方案方面的能力。憑借在射頻集成（RF）方面的堅實基礎，pSemi的產(chǎn)品組合目前涵蓋電源管理、互聯(lián)傳感器、天線調(diào)諧和射頻前端等領域。這些智能和高效半導體產(chǎn)品為用于智能手機、基站、個人計算機、電動汽車、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）設備和醫(yī)療保健等領域的先進模塊提供支持。pSemi總部位于圣迭戈，辦事處遍布全球各地，公司團隊致力于探索以全新方式創(chuàng)造更小、更薄、更快、更好的電子元件，從而為實現(xiàn)互聯(lián)世界提供支持。