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隨著電子設(shè)備微型化，工業(yè)級(jí)應(yīng)用的嚴(yán)苛環(huán)境所帶來(lái)的振動(dòng)、沖擊、極端溫度循環(huán)等挑戰(zhàn)，時(shí)刻威脅著電子器件的穩(wěn)定。天碩(TOPSSD)深知工業(yè)存儲(chǔ)的可靠性之重要，為天碩G55 Pro M.2 NVMe SSD采用側(cè)邊填充技術(shù)，其與天碩超寬溫技術(shù)、三防涂層等協(xié)同作用，共同建構(gòu)了高可靠的防護(hù)體系，確保產(chǎn)品在智能制造、能源等場(chǎng)景中的長(zhǎng)效穩(wěn)定運(yùn)行。

天碩G55 Pro M.2 NVMe工業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤以自研PCIe Gen3x4主控+100%純國(guó)產(chǎn)元器件實(shí)現(xiàn)了3600MB/s高速讀取，-55℃~85℃的超寬溫域穩(wěn)定運(yùn)行；以硬件級(jí)PLP掉電與固件協(xié)同保護(hù)全盤，支持智能軟銷毀功能。產(chǎn)品設(shè)計(jì)滿足工業(yè)級(jí)抗振耐沖擊標(biāo)準(zhǔn)，擁有200萬(wàn)小時(shí)+ MTBF高可靠認(rèn)證及GJB2017體系背書，精準(zhǔn)契合國(guó)產(chǎn)化存儲(chǔ)對(duì)高性能、高可靠、高耐用的嚴(yán)苛需求。

側(cè)邊填充是什么？

固態(tài)硬盤的焊點(diǎn)一旦因應(yīng)力而脫落或斷裂，將直接失效，造成不可估量的損失。側(cè)邊填充（Sidefill）技術(shù)，便是工業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤針對(duì)該問題的重要加固工藝。它通過在采用 BGA（球柵陣列）封裝的芯片的側(cè)面，涂抹環(huán)氧樹脂來(lái)增強(qiáng)PCB板和焊點(diǎn)之間的連接，從而抵抗振動(dòng)、沖擊和熱應(yīng)力。具體來(lái)說，側(cè)邊填充通過以下方式發(fā)揮作用：

增強(qiáng)焊點(diǎn)強(qiáng)度: 在芯片的兩側(cè)涂抹樹脂，能顯著增強(qiáng)PCB電路板與焊球之間連接點(diǎn)的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。

提高抗振抗沖擊性能: 側(cè)邊填充的樹脂能夠有效吸收、分散傳遞到焊點(diǎn)的沖擊能量，極大降低焊點(diǎn)因疲勞或瞬間應(yīng)力導(dǎo)致的脫落或斷裂風(fēng)險(xiǎn)。

降低熱應(yīng)力影響: 在溫度變化時(shí)，不同材料的熱膨脹系數(shù)差異會(huì)導(dǎo)致熱應(yīng)力。側(cè)邊填充的樹脂可以緩解這些應(yīng)力，降低熱沖擊對(duì)SSD的影響，延長(zhǎng)其使用壽命。

在工業(yè)應(yīng)用中，劇烈的溫度變化和頻繁的振動(dòng)沖擊難以避免。側(cè)邊填充技術(shù)所解決的痛點(diǎn)，正是工業(yè)場(chǎng)景的核心關(guān)切。

天碩工業(yè)級(jí)SSD側(cè)邊填充的優(yōu)勢(shì)

天碩工業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤的側(cè)邊填充技術(shù)通過精密工藝與系統(tǒng)性設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了防護(hù)性、可維護(hù)性與工業(yè)適配性的高效統(tǒng)一。

在工藝層面，天碩團(tuán)隊(duì)采用高精度填膠設(shè)備。相比覆蓋芯片底部的傳統(tǒng)填充技術(shù)，側(cè)邊填充僅處理邊緣區(qū)域，不僅固化更快、重量更輕，還保留了維修可行性，兼顧了生產(chǎn)效率與后期維護(hù)的靈活性。填充完成后，天碩會(huì)通過紫外光對(duì)樹脂進(jìn)行可控?zé)峁袒_保其快速均勻反應(yīng)并優(yōu)化粘接強(qiáng)度與彈性。最后實(shí)施多重質(zhì)檢，嚴(yán)格驗(yàn)證防護(hù)層可靠性后才會(huì)進(jìn)入后續(xù)工序。

側(cè)邊填充技術(shù)為天碩G55 Pro M.2 NVMe SSD提供了難以比擬的物理屏障，顯著增強(qiáng)其抵抗振動(dòng)、沖擊及熱應(yīng)力的能力，尤其適用于軌道交通、航空航天等嚴(yán)苛環(huán)境。